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  • IRGC50B60PD图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • IRGC50B60PD
  • 数量78800 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装TO-247-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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配单直通车
IRGC5B120KB产品参数
型号:IRGC5B120KB
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
零件包装代码:WAFER
包装说明:UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.29
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE
门极发射器阈值电压最大值:6 V
JESD-30 代码:O-XUUC-N
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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