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  • IRGPH50MD2-E图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • IRGPH50MD2-E
  • 数量8091 
  • 厂家√ 欧美㊣品 
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  • IRGPH50MD2图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • IRGPH50MD2
  • 数量78800 
  • 厂家VISHAY-威世 
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IRGPH50MD2产品参数
型号:IRGPH50MD2
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-247AC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.89
其他特性:SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):42 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):730 ns
门极发射器阈值电压最大值:5.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-247AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:200 W
最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1720 ns
标称接通时间 (ton):216 ns
VCEsat-Max:2.9 V
Base Number Matches:1
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