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  • IRGSL8B60K图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • IRGSL8B60K
  • 数量78800 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装TO-262-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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IRGSL8B60K产品参数
型号:IRGSL8B60K
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.24
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):28 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE
最大降落时间(tf):56 ns
门极发射器阈值电压最大值:5.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):140 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):26 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):220 ns
标称接通时间 (ton):43 ns
Base Number Matches:1
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