芯片IRL8113S的概述
IRL8113S是一款高性能的N沟道增强型场效应管(MOSFET),其设计旨在具有低导通电阻、高速开关能力,适用于各种电源管理和开关应用。该MOSFET能够在较低的栅源电压下(五伏或更低)实现高效导通,减少了驱动电路的复杂性。这一特性使IRL8113S广泛应用于DC-DC转换器、马达驱动器和各种消费电子产品中。
MOSFET技术的飞速发展,尤其是在功率电路中的应用,使得IRL8113S成为众多设计工程师的首选。这款元件可以在高达90V的电压下工作,同时它的最大连续电流达到76A,为高效功率管理提供了坚实保障。
芯片IRL8113S的详细参数
IRL8113S的电气特性是其主要优势之一,以下为其关键参数:
- 最大漏极-源极电压(V_DS): 90V - 最大漏极电流(I_D): 76A(在适当冷却条件下) - 导通电阻(R_DS(on)): 0.006Ω(V_GS = 10V 条件下) - 栅源阈值电压(V_GS(th)): 2V~4V - 栅电荷(Qg): 63nC(V_GS = 10V) - 工作温度范围: -55°C 到 +170°C - 封装类型: DPAK
这些参数特别适合高电流和高电压的应用场景,允许工程师利用IRL8113S实现高效的能量转换。
芯片IRL8113S的厂家、包装与封装
IRL8113S由国际大厂——英飞凌(Infineon)生产。作为全球功率半导体解决方案的领先供应商,英飞凌的产品以高性能、高可靠性著称。IRL8113S的封装方式为DPAK,这使得其在散热性能上表现优异,尤其适合高功率应用。DPAK封装具备较大的表面积,有助于更好的热管理。
该芯片通常以卷带方式包装,便于自动插装。每卷含有若干个芯片,减少了生产过程中的人工干预。
芯片IRL8113S的引脚及电路图说明
IRL8113S的引脚排序如下:
- 引脚1: 栅极(G) - 引脚2: 源极(S) - 引脚3: 漏极(D)
在典型的电路中,栅极(G)通过控制信号连接到微控制器或驱动芯片,源极(S)接地,漏极(D)连接负载。图1简要展示了一个基本的MOSFET开关电路。
[Microcontroller] | | [R] | G-----------[IRL8113S] | D | | V Load [S] Ground
在这个电路设计中,微控制器输出的高电平信号能使IRL8113S导通,负载将获得电源供电。当信号为低电平时,MOSFET将关闭,从而切断负载电源。
芯片IRL8113S的使用案例
使用IRL8113S的一个典型场景为电动机驱动。在电动机控制中,MOSFET作为开关元件,可以实现对电压的高效控制与调节。对于电动机的PWM(脉宽调制)控制,IRL8113S能够提供快速的开关速度,有助于提高能效并降低发热。
当设计一个使用IRL8113S的电动机驱动电路时,设定PWM信号的频率一般在几千赫兹到几万赫兹之间。PWM信号通过微控制器产生,当PWM信号为高电平时,IRL8113S导通,使电动机得到电力。而当PWM信号为低电平时,IRL8113S截止,电动机断电,这样通过调节占空比来控制电动机的速度及扭矩。
另一个应用实例是DC-DC转换器。在这个场景中,通过与脉冲宽度调制调节策略相结合,IRL8113S可以在高效的电源转换中工作,例如升压或降压转换。这种设计在可再生能源系统中尤为常见,如太阳能电池板的电力调节和存储。通过精确控制MOSFET的开关,可以大大提升系统的整体能效,实现不错的性能和较长的使用寿命。
此外,IRL8113S也可以在LED驱动电路中找到许多应用。在LED照明中,通过PWM技术能够有效地调节LED亮度,IRL8113S在这一过程中充当开关,以实现节能和延长LED的使用寿命。
最终,IRL8113S以其高效率和简单的驱动需求,在现代电力电子应用中占据了重要位置,它的灵活性使得工程师在不同的应用场景中也能充分发挥其效能。通过不断的技术进步和新材料的引入,IRL8113S和类似MOSFET的应用将更加广泛与深入。
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型号: | IRL8113S |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | INTERNATIONAL RECTIFIER CORP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.13 |
Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ |
外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 105 A |
最大漏极电流 (ID): | 42 A |
最大漏源导通电阻: | 0.006 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 110 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 420 A |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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