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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • IRL8113S
  • 数量840000 
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  • 绝对原装现货特价
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家IRC-TT 
  • 封装TO-263-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 数量12300 
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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 数量54000 
  • 厂家IRVISHAY 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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产品型号IRL8113S的产品参数和IRL8113S的使用说明

芯片IRL8113S的概述

IRL8113S是一款高性能的N沟道增强型场效应管(MOSFET),其设计旨在具有低导通电阻、高速开关能力,适用于各种电源管理和开关应用。该MOSFET能够在较低的栅源电压下(五伏或更低)实现高效导通,减少了驱动电路的复杂性。这一特性使IRL8113S广泛应用于DC-DC转换器、马达驱动器和各种消费电子产品中。

MOSFET技术的飞速发展,尤其是在功率电路中的应用,使得IRL8113S成为众多设计工程师的首选。这款元件可以在高达90V的电压下工作,同时它的最大连续电流达到76A,为高效功率管理提供了坚实保障。

芯片IRL8113S的详细参数

IRL8113S的电气特性是其主要优势之一,以下为其关键参数:

- 最大漏极-源极电压(V_DS): 90V - 最大漏极电流(I_D): 76A(在适当冷却条件下) - 导通电阻(R_DS(on)): 0.006Ω(V_GS = 10V 条件下) - 栅源阈值电压(V_GS(th)): 2V~4V - 栅电荷(Qg): 63nC(V_GS = 10V) - 工作温度范围: -55°C 到 +170°C - 封装类型: DPAK

这些参数特别适合高电流和高电压的应用场景,允许工程师利用IRL8113S实现高效的能量转换。

芯片IRL8113S的厂家、包装与封装

IRL8113S由国际大厂——英飞凌(Infineon)生产。作为全球功率半导体解决方案的领先供应商,英飞凌的产品以高性能、高可靠性著称。IRL8113S的封装方式为DPAK,这使得其在散热性能上表现优异,尤其适合高功率应用。DPAK封装具备较大的表面积,有助于更好的热管理。

该芯片通常以卷带方式包装,便于自动插装。每卷含有若干个芯片,减少了生产过程中的人工干预。

芯片IRL8113S的引脚及电路图说明

IRL8113S的引脚排序如下:

- 引脚1: 栅极(G) - 引脚2: 源极(S) - 引脚3: 漏极(D)

在典型的电路中,栅极(G)通过控制信号连接到微控制器或驱动芯片,源极(S)接地,漏极(D)连接负载。图1简要展示了一个基本的MOSFET开关电路。

[Microcontroller] | | [R] | G-----------[IRL8113S] | D | | V Load [S] Ground

在这个电路设计中,微控制器输出的高电平信号能使IRL8113S导通,负载将获得电源供电。当信号为低电平时,MOSFET将关闭,从而切断负载电源。

芯片IRL8113S的使用案例

使用IRL8113S的一个典型场景为电动机驱动。在电动机控制中,MOSFET作为开关元件,可以实现对电压的高效控制与调节。对于电动机的PWM(脉宽调制)控制,IRL8113S能够提供快速的开关速度,有助于提高能效并降低发热。

当设计一个使用IRL8113S的电动机驱动电路时,设定PWM信号的频率一般在几千赫兹到几万赫兹之间。PWM信号通过微控制器产生,当PWM信号为高电平时,IRL8113S导通,使电动机得到电力。而当PWM信号为低电平时,IRL8113S截止,电动机断电,这样通过调节占空比来控制电动机的速度及扭矩。

另一个应用实例是DC-DC转换器。在这个场景中,通过与脉冲宽度调制调节策略相结合,IRL8113S可以在高效的电源转换中工作,例如升压或降压转换。这种设计在可再生能源系统中尤为常见,如太阳能电池板的电力调节和存储。通过精确控制MOSFET的开关,可以大大提升系统的整体能效,实现不错的性能和较长的使用寿命。

此外,IRL8113S也可以在LED驱动电路中找到许多应用。在LED照明中,通过PWM技术能够有效地调节LED亮度,IRL8113S在这一过程中充当开关,以实现节能和延长LED的使用寿命。

最终,IRL8113S以其高效率和简单的驱动需求,在现代电力电子应用中占据了重要位置,它的灵活性使得工程师在不同的应用场景中也能充分发挥其效能。通过不断的技术进步和新材料的引入,IRL8113S和类似MOSFET的应用将更加广泛与深入。

配单直通车
IRL8113S产品参数
型号:IRL8113S
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.13
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):220 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):105 A
最大漏极电流 (ID):42 A
最大漏源导通电阻:0.006 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):420 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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