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IRLHS6342TRPBF产品参数
型号:IRLHS6342TRPBF
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:2 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.13
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):14 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
最大漏极电流 (ID):8.7 A
最大漏源导通电阻:0.0195 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PDSO-N6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):76 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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