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IRF IRLML6302TRPBF
中文翻译
HEXFET® Power MOSFET
HEXFET®功率MOSFET
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管

IRLML6302TRPBF详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
包装说明
MICRO-3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
风险等级
2.76
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.78 A
最大漏极电流 (ID)
0.78 A
最大漏源导通电阻
0.6 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
P-CHANNEL
功耗环境最大值
0.34 W
最大功率耗散 (Abs)
0.54 W
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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