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TYSEMI IRLML6401TRPBF
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HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC

IRLML6401TRPBF详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
2.95
Samacsys Confidence
4
Samacsys Status
Released
2D Presentation
Schematic Symbol
PCB Footprint
3D View
Samacsys PartID
287433
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count
3
Samacsys Part Category
Transistor
Samacsys Package Category
SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name
Micro3 SOT-23
Samacsys Released Date
2016-03-09 15:05:39
Is Samacsys
N
其他特性
HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas)
33 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.3 A
最大漏极电流 (ID)
4.3 A
最大漏源导通电阻
0.05 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
1.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
34 A
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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