IRLR110产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak

制造商：Vishay Siliconix

系列：-

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 2.6A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.1nC @ 5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：250pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），25W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-Pak

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：50

其它名称：*IRLR110