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IRLU024N产品参数
型号:IRLU024N
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.15
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):68 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (ID):17 A
最大漏源导通电阻:0.08 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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