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  • IRLZ44ZSPBF图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家INFINEON/ 
  • 封装D2-PAK(T 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:1002316308QQ:515102657
  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • IRLZ44ZSPBF
  • 数量3000 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装TO-263 
  • 批号21+ 
  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
  • QQ:97877807
  • 171-4755-1968(微信同号) QQ:97877807
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  • 集好芯城

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  • IRLZ44ZSPBF
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  • 厂家IR 
  • 封装TO-263 
  • 批号最新批次 
  • 原厂原装公司现货
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  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
  • IRLZ44ZSPBF图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家Infineon Technologies 
  • 封装代理Infineon 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
  • QQ:1683311814
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 数量6600 
  • 厂家INFINEON/英飞凌 
  • 封装TO-263-3(D2PAK) 
  • 批号20+ 
  • 原盒原装原标签,市场最低价。
  • QQ:897008713QQ:215672808
  • 0755-83229772 QQ:897008713QQ:215672808
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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • IRLZ44ZSPBF
  • 数量7793 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装TO-263 
  • 批号23+ 
  • 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
  • QQ:3007947087QQ:3007803260
  • 0755-83062789 QQ:3007947087QQ:3007803260
  • IRLZ44ZSPBF图
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 数量99000 
  • 厂家IR 
  • 封装TO-263 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
  • QQ:1157099927QQ:2039672975
  • 0755-2870-8773手机微信同号13430772257 QQ:1157099927QQ:2039672975
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量9328 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装TO-263-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥6.4元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家Infineon(英飞凌) 
  • 封装原厂原装 
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  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量24785 
  • 厂家INFINEON/IR 
  • 封装D2-PAK (TO-263) 
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  • ■原装长期供应支持小批量秒发货
  • QQ:2881664480
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配单直通车
IRLZ44ZSPBF产品参数
型号:IRLZ44ZSPBF
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:6.93
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):78 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):51 A
最大漏极电流 (ID):51 A
最大漏源导通电阻:0.0135 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):204 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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