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  • IS25LQ512B-JVLE图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • IS25LQ512B-JVLE
  • 数量6500000 
  • 厂家ISSI 
  • 封装原厂原装 
  • 批号22+ 
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配单直通车
IS25LQ512B-JWLE产品参数
型号:IS25LQ512B-JWLE
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
包装说明:DIE,
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.73
最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
JESD-30 代码:X-XUUC-N
内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1
功能数量:1
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:105 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512KX1
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3 V
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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