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IS42S16100H-5T产品参数
型号:IS42S16100H-5T
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
包装说明:TSOP2, TSOP50,.46,32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.74
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:5 ns
其他特性:PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G50
长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:50
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm
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