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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • IS43DR16128A3DBL图
  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 厂家原厂品牌 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 封装84LFBGA (10.5x13.5) 
  • 批号21+ 
  • 公司只售原装 支持实单
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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • IS43DR16128A3DBLITR
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配单直通车
IS43DR16128B-25EBL产品参数
型号:IS43DR16128B-25EBL
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
包装说明:TFBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:8.41
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):400 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B84
长度:13.5 mm
内存密度:2147483648 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:84
字数:134217728 words
字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:128MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA84,9X15,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.03 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.54 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:10.5 mm
Base Number Matches:1
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