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  • 集好芯城

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 厂家ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 
  • 封装168-LBGA 
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  • 八零友创集团

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  • 厂家ISSI 
  • 封装32M 18 RLDRAM FBGA1 
  • 批号23+ 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家ISSI(美国芯成) 
  • 封装FBGA-168 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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IS49RL18320-093EBL产品参数
型号:IS49RL18320-093EBL
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA, BGA168,13X13,40
针数:168
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32
Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:5.18
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:8 ns
其他特性:AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):1066 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B168
长度:13.5 mm
内存密度:603979776 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:18
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:168
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:95 °C
最低工作温度:
组织:32MX18
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA168,13X13,40
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源:1.35 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.125 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:2.965 mA
最大供电电压 (Vsup):1.42 V
最小供电电压 (Vsup):1.28 V
标称供电电压 (Vsup):1.35 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:13.5 mm
Base Number Matches:1
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