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| 型号: | IS61DDPB22M36A1-550M3 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 包装说明： | LBGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.07 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 0.45 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 550 MHz |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| 长度： | 17 mm |
| 内存密度： | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR SRAM |
| 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 165 |
| 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 2MX36 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大待机电流： | 0.38 A |
| 最小待机电流： | 1.7 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 1.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.89 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.71 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 15 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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