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ISSI IS61LV25616AL-10TL
中文翻译
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
256K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM
存储内存集成电路静态存储器光电二极管
ISSI IS61LV25616AL-10TLI
中文翻译
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
256K ×16高速异步静态CMOS与3.3V供电的RAM
ISSI IS61LV25616AL-10TLI-TR
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暂无描述

IS61LV25616AL-10TL详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
IHS 制造商
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP44,.46,32
针数
44
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
Factory Lead Time
8 weeks
风险等级
0.8
Is Samacsys
N
最长访问时间
10 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G44
JESD-609代码
e3
长度
18.415 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
44
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP44,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.01 A
最小待机电流
2 V
子类别
SRAMs
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.63 V
最小供电电压 (Vsup)
3.135 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
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