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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ISSI-矽成 
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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 厂家ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 
  • 封装119-BBGA 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 封装原厂原装 
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IS61WV12824-8BL-TR产品参数
型号:IS61WV12824-8BL-TR
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:BGA,
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:5.77
最长访问时间:8 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B119
长度:22 mm
内存密度:3145728 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:24
功能数量:1
端子数量:119
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX24
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:3.5 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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