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IS62LV2568ALL-85TI产品参数
型号:IS62LV2568ALL-85TI
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数:32
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
电源:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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