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IS62WV25616BLL-55BI产品参数
型号:IS62WV25616BLL-55BI
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA48,6X8,30
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.51
Is Samacsys:N
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e0
长度:8 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:48
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:256KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000015 A
最小待机电流:1.2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:6 mm
Base Number Matches:1
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