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型号: | IS64VF25618EC-6.5B2LA3 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 6.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e1 |
长度: | 22 mm |
内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 |
字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX18 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 3.5 mm |
最大待机电流: | 0.1 A |
最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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