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ISD2560P产品参数
型号:ISD2560P
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:WINBOND ELECTRONICS CORP
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6
针数:28
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.6
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/1463220.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1463220
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1463220
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1463220
Samacsys PartID:1463220
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/ISD2560P.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/ISD2560P.jpg
Samacsys Pin Count:28
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name:ISD2560P
Samacsys Released Date:2019-04-20 10:39:55
Is Samacsys:N
应用:CAR STEREO; HANDSET; TRANSFORMER
商用集成电路类型:SPEECH SYNTHESIZER WITH RCDG
JESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0
长度:36.83 mm
功能数量:1
端子数量:28
片上内存类型:EEPROM
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
最长读取时间:60 s
座面最大高度:4.83 mm
子类别:Audio Synthesizer ICs
最大压摆率:30 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1
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