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型号: | ISM001DR09L70 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | INTEL CORP |
包装说明: | SIMM, SIM30 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PSMA-N30 |
内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 9 |
端子数量: | 30 |
字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 1MX9 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SIMM |
封装等效代码: | SIM30 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.29 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | SINGLE |
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