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| 型号: | ISYE-1009EH-Q |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | QCCN, LCC3(UNSPEC) |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.36 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | TWO TERMINAL VOLTAGE REFERENCE |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 功能数量： | 1 |
| 输出次数： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电压： | 2.505 V |
| 最小输出电压： | 2.495 V |
| 标称输出电压： | 2.5 V |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC3(UNSPEC) |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 子类别： | Voltage References |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Gold (Au) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总剂量： | 300k Rad(Si) V |
| 微调/可调输出： | YES |
| 最大电压容差： | 0.2% |
| Base Number Matches： | 1 |
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