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| 型号: | IXA40PG1200DHGLB |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | LITTELFUSE INC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G9 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.37 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 63 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G9 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 9 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel (39) Tin (984) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 350 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 110 ns |
| VCEsat-Max： | 2.15 V |
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