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IXDN514SIA产品参数
型号:IXDN514SIA
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:IXYS CORP
零件包装代码:SOIC
包装说明:0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012AA, SOIC-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.84
高边驱动器:NO
接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.9 mm
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
标称输出峰值电流:14 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:HSOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm
最大供电电压:35 V
最小供电电压:4.5 V
标称供电电压:18 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.1 µs
接通时间:0.1 µs
宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1
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