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  • IXFN48N50U2图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • IXFN48N50U2
  • 数量1880 
  • 厂家IXYS-艾赛斯 
  • 封装车规-模块MODULE 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • IXFN48N50U2图
  • 上海硅威科技有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • IXFN48N50U2
  • 数量8880 
  • 厂家IXFN 
  • 封装标准封装 
  • 批号22+ 
  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
  • QQ:2885615943
  • 400-1585-060 QQ:2885615943
  • IXFN48N50U2图
  • 上海如美电子科技有限公司

     该会员已使用本站4年以上
  • IXFN48N50U2
  • 数量
  • 厂家IXYS/艾赛斯 
  • 封装原厂委托授权代理功率晶闸管IGBT模块可控硅 
  • 批号19+ 
  • 普通
  • QQ:823639999
  • 021-51097965 QQ:823639999
  • IXFN48N50U2图
  • 江苏华美半导体有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • IXFN48N50U2
  • 数量
  • 厂家21+ 
  • 封装5000 
  • 批号 
  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
  • QQ:1989265666
  • 0512-82613006 QQ:1989265666
配单直通车
IXFN48N50U2产品参数
型号:IXFN48N50U2
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:MINIBLOC-4
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.67
其他特性:AVALANCHE RATED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):48 A
最大漏极电流 (ID):48 A
最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PUFM-X4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):192 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Nickel (Ni)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:35
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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