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型号: | IXGH30N50 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred |
包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 |
最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 500 V |
最大降落时间(tf): | 2000 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 30 V |
JESD-609代码: | e0 |
最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
最大上升时间(tr): | 200 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
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