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IXGM25N100A产品参数
型号:IXGM25N100A
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:IXYS CORP
零件包装代码:BFM
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.79
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:1000 V
配置:SINGLE
门极发射器阈值电压最大值:5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:200 W
最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:35
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1520 ns
标称接通时间 (ton):350 ns
VCEsat-Max:4 V
Base Number Matches:1
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