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  • IXGP7N60CD1图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • IXGP7N60CD1
  • 数量78800 
  • 厂家IXYS-艾赛斯 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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IXGP7N60C产品参数
型号:IXGP7N60C
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:IXYS CORP
零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72
Is Samacsys:N
其他特性:FAST
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):14 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE
门极发射器阈值电压最大值:5.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-263AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):54 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:35
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):205 ns
标称接通时间 (ton):25 ns
Base Number Matches:1
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