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  • IXSN35N120AU1图
  • 八零友创集团

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  • 数量685600 
  • 厂家IXYS 
  • 封装SOT227 
  • 批号22+ 
  • ▉18664558455▉承诺★原装▉代理★品牌▉假一★罚十▉
  • QQ:2880720332QQ:2880720334
  • 0755-88601790 QQ:2880720332QQ:2880720334
  • IXSN35N120AU1图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • IXSN35N120AU1
  • 数量1880 
  • 厂家IXYS-艾赛斯 
  • 封装车规-模块MODULE 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • IXSN35N120AU1图
  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • IXSN35N120AU1
  • 数量1950 
  • 厂家IXYS/艾赛斯 
  • 封装SOT227▇▇ 
  • 批号▇▇▇Rohs▇▇▇ 
  • 原装▇军工偏冷门▇质量好价格优▇让少走弯路▇》》》》
  • QQ:1351832551
  • 0755-21012187 QQ:1351832551
  • IXSN35N120AU1图
  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • IXSN35N120AU1
  • 数量22358 
  • 厂家IXYS 
  • 封装价格优势 
  • 批号22+ 
  • 房间现货,价格优势。
  • QQ:424519403
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    IXSN35N120AU1相关文章

配单直通车
IXSN35N120AU1产品参数
型号:IXSN35N120AU1
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:IXYS CORP
零件包装代码:SOT-227
包装说明:SOT-227B, 4 PIN
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.8
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):70 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:8 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X4
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:300 W
最大功率耗散 (Abs):300 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:35
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1100 ns
标称接通时间 (ton):230 ns
VCEsat-Max:4 V
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