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型号: | IXZR16N60 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 2.2 |
Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released |
2D Presentation: | https://componentsearchengine.com/2D/0T/9864766.1.1.png |
Schematic Symbol: | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=9864766 |
PCB Footprint: | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=9864766 |
3D View: | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=9864766 |
Samacsys PartID: | 9864766 |
Samacsys Image: | https://componentsearchengine.com/Images/9/IXZR16N60.jpg |
Samacsys Thumbnail Image: | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/IXZR16N60.jpg |
Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical |
Samacsys Footprint Name: | 3-Pin, PLUS247 |
Samacsys Released Date: | 2020-01-07 10:32:19 |
Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 350 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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