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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • JANTX1N3154-1图
  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • JANTX1N3154-1
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  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装N/A 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量8650 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • JANTX1N3154-1
  • 数量1200 
  • 厂家MICROCHIP 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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  • 0755-83192793 QQ:2885392746QQ:2885392744
  • JANTX1N3154-1/TR图
  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • JANTX1N3154-1/TR
  • 数量13882 
  • 厂家原厂品牌 
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  • 原厂进口正品部分现货
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  • 0755-25320933,18923496413微信同步报价 QQ:3005621736
  • JANTX1N3154-1图
  • 深圳市华科泰电子商行

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  • JANTX1N3154-1
  • 数量300000 
  • 厂家Microchip Technology 
  • 封装DO-204AH 
  • 批号DO-35 
  • 25+
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JANTX1N3154-1产品参数
型号:JANTX1N3154-1
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.2
其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/158P
标称参考电压:8.4 V
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.84 mV/ °C
最大电压容差:5%
Base Number Matches:1
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