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JANTX2N6796产品参数和技术文档

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JANTX2N6796产品参考价格

JANTX2N6796产品参数

品牌:
Microsemi Corporation
描述:
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:
通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
制造商
Microsemi Corporation
系列
军用,MIL-PRF-19500/557
包装
散装
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
195 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
28.51nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
800mW(Ta),25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-205AF(TO-39)
封装/外壳
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
标准包装
1
其它名称
JANTX2N6796-MIL
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
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产品索引: IS416A-2ZI J111 J112 J113 J177 J176 J310 J175 JANTX2N6788 JANTX2N6766

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