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JANTX2N6796产品参数和技术文档

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JANTX2N6796产品参考价格

JANTX2N6796产品参数

品牌：
Microsemi Corporation
描述：
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述：
通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
制造商
Microsemi Corporation
系列
军用，MIL-PRF-19500/557
包装
散装
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
195 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
28.51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-205AF（TO-39）
封装/外壳
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
标准包装
1
其它名称
JANTX2N6796-MIL
型号： 厂家： 批号： 封装： 型号完全相同
  •  
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