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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 假一赔十★全新原装现货★★特价供应★工厂客户可放款
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  • 0755-82566711 QQ:799387964QQ:2777237833
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
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  • 深圳市捷立辉科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
  • 封装TO-3P 
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产品型号J13009的概述

芯片J13009的概述 J13009是一种常用的NPN晶体管,广泛应用于各类电子设备中。该芯片在大功率应用中表现优异,具备高电流增益和较大的耐压能力。作为一种通用型功率晶体管,J13009通常用于放大和开关电子信号,适用于各种开关电源、音频放大器、以及其他高电流需求的场合。 芯片J13009的详细参数 J13009的参数非常全面,包括但不限于以下几个方面: - 类型:NPN - 最大集电极电压 (Vce):160V - 最大集电极电流 (Ic):8A - 最大耗散功率 (Ptot):45W - 直流电流增益 (hFE):在10V时为50-150 - 工作温度范围:-65°C至+150°C - 引脚配置:TO-220封装,标准三引脚配置 这些参数使得J13009在要求高效率和大电流的领域具有较大的应用潜力。 芯片J13009的厂家、包装、封装 J13009晶体管的生产厂家相对较多,其中...

产品型号J13009的Datasheet PDF文件预览

March 2007  
FJP13009  
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor  
High Voltage Capability  
High Switching Speed  
Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power Supply  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Absolute Maximum Ratings*  
T
= 25°C unless otherwise noted (notes_1)  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
700  
V
V
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
400  
9
12  
V
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
A
ICP  
24  
A
IB  
6
A
PC  
Collector Dissipation (TC = 25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
100  
150  
-65 ~ 150  
W
°C  
°C  
TJ  
TSTG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES_1:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Package Marking and Ordering Information  
Device Item (notes_2)  
FJP13009  
Device Marking  
J13009  
Package  
TO-220  
Packing Method  
Qty(pcs)  
1,200  
Bulk  
TUBE  
TUBE  
FJP13009H2TU  
FJP13009TU  
Notes_2 :  
J130092  
TO-220  
1,000  
J13009  
TO-220  
1,000  
1) The Affix “-H2” means the hFE classification.  
2) The Suffix “-TU” means the Tube packing method, which can be on fairchildsemi website at http://www.fairchildsemi.com/packaging.  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJP13009 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VCEO(sus)  
IEBO  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max Units  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter Cut-off Current  
IC = 10mA, IB = 0  
400  
V
VEB = 9V, IC = 0  
1
mA  
hFE  
* DC Current Gain  
VCE = 5V, IC = 5A (hFE1  
VCE = 5V, IC = 8A  
)
8
6
40  
30  
VCE(sat)  
VBE (sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = 5A, IB = 1A  
IC = 8A, IB = 1.6A  
IC = 12A, IB = 3A  
1
1.5  
3
V
V
V
IC = 5A, IB = 1A  
IC = 8A, IB = 1.6A  
1.2  
1.6  
V
V
Cob  
fT  
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
VCB = 10V, f = 0.1MHz  
VCE = 10V, IC = 0.5A  
VCC = 125V, IC = 8A  
180  
pF  
MHz  
µs  
4
tON  
tSTG  
tF  
1.1  
3
IB1 = - IB2 = 1.6A, RL = 15,6Ω  
Storage Time  
µs  
Fall Time  
0.7  
µs  
* Pulse Test: PW 300µs, Duty Cycle 2%  
h
Classification  
FE  
Classification  
H1  
H2  
hFE1  
8 ~ 17  
15 ~ 28  
2
www.fairchildsemi.com  
FJP13009 Rev. B  
Typical Performance Characteristics  
10  
100  
IC = 3 IB  
VCE = 5V  
VBE(sat)  
1
10  
0.1  
VCE(sat)  
0.01  
0.1  
1
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 1. DC current Gain  
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
10000  
1000  
100  
1000  
VCC=125V  
IC=5IB  
100  
10  
1
tR  
tD, VBE(off)=5V  
10  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
1000  
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
Figure 3. Collector Output Capacitance  
Figure 4. Turn On Time  
10000  
100  
10  
VCC=125V  
IC=5IB  
tSTG  
1000  
1
0.1  
0.01  
tF  
100  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
1000  
IC[A], COLLECTOR CURRENT  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
Figure 5. Turn Off Time  
Figure 6. Forward Bias Safe Operating Area  
3
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FJP13009 Rev. B  
Typical Performance Characteristics (Continued)  
100  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
Vcc=50V,  
I
B1=1A, IB2 = -1A  
L = 1mH  
10  
1
0.1  
0.01  
10  
100  
1000  
10000  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
TC[oC], CASE TEMPERATURE  
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE  
Figure 7. Reverse Bias Safe Operating Area  
Figure 8. Power Derating  
4
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FJP13009 Rev. B  
Mechanical Dimensions  
TO-220  
4.50 0.20  
+0.10  
9.90 0.20  
(8.70)  
1.30  
–0.05  
ø3.60 0.10  
(45  
°
)
1.27 0.10  
1.52 0.10  
0.80 0.10  
2.54TYP  
+0.10  
–0.05  
0.50  
2.40 0.20  
2.54TYP  
[2.54 0.20  
]
[2.54 0.20]  
10.00 0.20  
Dimensions in Millimeters  
5
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FJP13009 Rev. B  
TRADEMARKS  
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ACEx®  
TinyLogic®  
TINYOPTO  
TinyPower™  
TinyWire™  
TruTranslation™  
μSerDes™  
UHC®  
UniFET™  
VCX™  
Wire™  
HiSeC™  
i-Lo™  
Programmable Active Droop™  
QFET®  
QS™  
QT Optoelectronics™  
Quiet Series™  
RapidConfigure™  
RapidConnect™  
ScalarPump™  
SMART START™  
SPM®  
STEALTH™  
SuperFET™  
SuperSOT-3  
SuperSOT-6  
SuperSOT-8  
SyncFET™  
Across the board. Around the world.™  
ActiveArray™  
Bottomless™  
Build it Now™  
CoolFET™  
ImpliedDisconnect™  
IntelliMAX™  
ISOPLANAR™  
MICROCOUPLER™  
MicroPak™  
MICROWIRE™  
MSX™  
CROSSVOLT™  
CTL™  
Current Transfer Logic™  
DOME™  
MSXPro™  
OCX™  
E2CMOS™  
EcoSPARK®  
EnSigna™  
OCXPro™  
OPTOLOGIC®  
OPTOPLANAR®  
PACMAN™  
POP™  
FACT Quiet Series™  
FACT®  
FAST®  
Power220®  
Power247®  
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PowerSaver™  
PowerTrench®  
FASTr™  
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The Power Franchise®  
FPS™  
FRFET®  
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which, (a) are intended for surgical implant into the body or  
(b) support or sustain life, and (c) whose failure to perform  
when properly used in accordance with instructions for use  
provided in the labeling, can be reasonably expected to  
result in a significant injury of the user.  
device, or system whose failure to perform can be  
reasonably expected to cause the failure of the life support  
device or system, or to affect its safety or effectiveness.  
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© 2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
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J13101产品参数
型号:J13101
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:SUMIDA CORP
包装说明:ROHS COMPLIANT
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
其他特性:HEIGHT DIM. INCLUDES TERMINALS ALSO, TURNS RATIO: 0.7:1
高度:12.6 mm
长度:10 mm
制造商序列号:CEP912
安装特点:SURFACE MOUNT
物理尺寸:10.0mm X 10.0mm X 12.6mm
表面贴装:YES
变压器类型:TELECOM TRANSFORMER
宽度:10 mm
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