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  • JAN1N3339B图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
  • 批号23+ 
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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装SMD 
  • 批号2018+ 
  • “芯达集团”专营军工百分之百原装进口
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  • 麦尔集团

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  • 厂家MSC 
  • 封装十五周年庆典 
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JAN1N3339B产品参数
型号:JAN1N3339B
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-5
包装说明:DO-5, 1 PIN
针数:1
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:1.92
外壳连接:ANODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-5
JESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:1
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:50 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/358E
标称参考电压:91 V
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%
工作测试电流:140 mA
Base Number Matches:1
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