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  • 北京元坤伟业科技有限公司

         该会员已使用本站17年以上

  • JAN1N5195/TR
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  • JAN1N5195/TR图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • JAN1N5195/TR
  • 数量2368 
  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装DO-35-2 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥249元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • JAN1N5195/TR图
  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • JAN1N5195/TR
  • 数量18000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
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  • 原厂进口正品部分现货
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JAN1N5195R产品参数
型号:JAN1N5195R
生命周期:Transferred
IHS 制造商:BKC SEMICONDUCTORS INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.68
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:0.025 µA
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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