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  • JAN1N5551US/TR图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • JAN1N5551US/TR
  • 数量2368 
  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装DO-213 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥80.3元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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JAN1N5552产品参数
型号:JAN1N5552
生命周期:Active
IHS 制造商:SEMTECH CORP
包装说明:O-XALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:9 weeks
风险等级:0.7
应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/420
最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:2 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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