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| 型号: | JAN1N5806US |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | SEMTECH CORP |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 21 weeks |
| 风险等级： | 0.66 |
| Is Samacsys： | N |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 35 A |
| 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 2.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/477F |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
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