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  • JAN1N5819-1/TR图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • JAN1N5819-1/TR
  • 数量6328 
  • 厂家MICROCHIP-微芯 
  • 封装DO-41-2 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥69.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
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  • JAN1N5819-1图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • JAN1N5819-1
  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
  • QQ:1683311814
  • 0755-83360135 QQ:1683311814
  • JAN1N5819-1图
  • 深圳市科雨电子有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • JAN1N5819-1
  • 数量326 
  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装DO-41 
  • 批号21+ 
  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:389元
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JAN1N5819-1产品参数
型号:JAN1N5819-1
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-41
包装说明:O-XALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.54
Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/586
最大重复峰值反向电压:45 V
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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