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  • 深圳市芯达科技有限公司

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JAN1N6149产品参数
型号:JAN1N6149
生命周期:Active
IHS 制造商:SEMTECH CORP
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.37
其他特性:LOW IMPEDANCE
最小击穿电压:18.05 V
击穿电压标称值:20 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:29.085 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:7.5 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:15.2 V
最大反向电流:5 µA
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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