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  • JAN1N6473图
  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • JAN1N6473
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  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装SMD 
  • 批号2018+ 
  • “芯达集团”专营军工百分之百原装进口
  • QQ:2685694974QQ:2593109009
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  • JAN1N6473图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家SEMTECH 
  • 封装车规-元器件 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • QQ:43871025
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  • 麦尔集团

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  • JAN1N6473
  • 数量100 
  • 厂家MSC 
  • 封装十五周年庆典 
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配单直通车
JAN1N6473产品参数
型号:JAN1N6473
生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.41
其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE
最小击穿电压:27 V
击穿电压标称值:27 V
外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:41.4 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/552
最大重复峰值反向电压:24 V
最大反向电流:100 µA
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1
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