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  • JAN1N6761UR-1图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • JAN1N6761UR-1
  • 数量27000 
  • 厂家Microsemi IRE Division 
  • 封装军用系列 
  • 批号23+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
  • QQ:1683311814
  • 0755-83360135 QQ:1683311814
配单直通车
JAN1N6761UR-1产品参数
型号:JAN1N6761UR-1
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-213AB
包装说明:HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.33
其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AB
JESD-30 代码:O-XELF-R2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/586F
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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