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产品型号JAN2N2369A的概述

JAN2N2369A芯片概述及详细参数分析 一、概述 JAN2N2369A是一种广泛应用于电子电路中的NPN型功率晶体管,主要用于射频放大和开关电源等应用。这颗芯片是针对航空航天和军事应用的芯片标准型号,具有良好的高频特性和高耐压能力。得益于其稳定性和可靠性,JAN2N2369A在电子工程师和设计师中获得了较高的认可,广泛应用于各种电子设备中。 二、详细参数 JAN2N2369A的主要电气参数如下: 1. 极性: NPN 2. 最大集电极-发射极电压 (V_CE): 60V 3. 最大集电极-基极电压 (V_CB): 60V 4. 最大基极-发射极电压 (V_BE): 5V 5. 集电极电流 (I_C): 4A 6. 功耗 (P_C): 40W 7. 直流增益 (h_FE): 50-200(在I_C = 1A时) 8. 工作温度范围: -55°C至+150°C 9. 封装类型: TO...

产品型号JAN2N2369A的Datasheet PDF文件预览

580 Pleasant St.  
Watertown, MA 02172  
PH: (617) 926-0404  
FAX: (617) 924-1235  
2N2369A  
Features  
40 Volts  
200mAmps  
· Meets MIL-S-19500/317  
· Collector-Base Voltage 40V  
· Collector Current: 200 mA  
· Fast Switching 30 nS  
NPN  
BIPOLAR  
TRANSISTOR  
Maximum Ratings  
RATING  
SYMBOL  
MAX.  
UNIT  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VCES  
VCBO  
VEBO  
IC  
15  
40  
40  
4.5  
200  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mA  
Collector Current -- Continuous  
Total Device Dissipation  
@ TA = 25oC  
PD  
0.36  
2.06  
Watt  
mW/oC  
Derate above 25oC  
Total Device Dissipation  
PD  
@ TC = 25oC  
1.2  
6.85  
Watt  
mW/oC  
Derate above 25oC  
oC  
oC  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
TJ  
TS  
-65 + 200  
-65 + 200  
486  
oC/W  
oC/W  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
146  
Mechanical Outline  
Datasheet# MSC0277A 5/19/97  
2N2369A  
Electrical Parameters (TA @ 25°C unless otherwise specified)  
CHARACTERISTICS  
Off Characteristics  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC = 10 mA, VBE = 0)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage(1)  
(IC = 10mAdc, IB = 0)  
Collecter-Base Breakdown Voltage  
(IC = 10 mA, IB = 0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IC = 10 mA, IB = 0)  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
40  
--  
--  
--  
--  
BVCES  
15  
BVCEO  
40  
BVCBO  
BVEBO  
4.5  
Collector Cutoff Current  
(VCB = 20 Vdc)  
--  
0.4  
mAdc  
mAdc  
ICES  
Collector Emitter Cutoff Current  
(VCE = 10 Vdc, VBE = 0.25Vdc)  
--  
--  
0.3  
30  
ICEX  
@150C  
Emitter Base Cutoff Current  
--  
0.25  
(VEB = 4 Vdc )  
D.C. Current Gain  
mAdc  
--  
IEBO  
hFE  
40  
20  
40  
30  
20  
120  
---  
120  
120  
120  
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)  
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) @ -55C  
(IC = 10 mAdc, VCE = 0.35 Vdc)  
(IC = 30 mAdc, VCE = 0.4 Vdc)  
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage(1)  
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)  
(IC = 10mAdc, IB = 1.0 mAdc, TA = + 125oC)  
(IC = 30 mAdc, IB = 3.0 mAdc)  
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage(1)  
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)  
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc, TA = + 125oC)  
(IC = 10 mAdc, IB 1.0 mAdc, TA = -55oC)  
(IC = 30 mAdc, IB = 3.0 mAdc)  
(IC = 100 mAdc, IB = 10 mAdc)  
Vdc  
Vdc  
VCE(Sat)  
--  
--  
--  
--  
0.20  
0.30  
0.25  
0.45  
VBE(Sat)  
0.70  
0.59  
--  
--  
--  
0.85  
--  
1.02  
0.9  
1.20  
Small-signal short-circuit forward-current transfer ratio  
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)  
Output Capacitance  
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)  
Input Capacitance  
/hfe/  
COBO  
CIBO  
5
--  
--  
10  
4.0  
5.0  
pf  
pf  
(VEB = 1.0 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)  
Switching Speeds, Turn-on Time  
Storage Time  
ns  
ts  
ton  
toff  
--  
--  
--  
13  
12  
18  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
(1) Pulse Test: Pulse Width £ 300 ms, Duty Cycle £ 2.0 %.  
Datasheet# MSC0277A 5/19/97  
配单直通车
JAN2N2369A产品参数
型号:JAN2N2369A
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:3
制造商包装代码:CASE 22-03
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.09
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-206AA
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/317
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):18 ns
最大开启时间(吨):12 ns
Base Number Matches:1
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