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  • 麦尔集团

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家Microsemi IRE Division 
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  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家MICROSEMI 
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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家MICROCHIP-微芯 
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  • JAN2N2906AUB图
  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量35898 
  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
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JAN2N2906AUB产品参数
型号:JAN2N2906AUB
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SILICON TRANSISTOR CORP
零件包装代码:DLCC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.05
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-CDSO-N3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1
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