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JAN2N493A产品参数
型号:JAN2N493A
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:GPD OPTOELECTRONICS CORP
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
最大发射极电流:70 mA
最大基极间电压:65 V
最大本征偏离比:0.75
最小本征偏离比:0.62
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:140 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
最大峰点电流:12 mA
最大功率耗散 (Abs):0.45 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/75B
最大基极间静态电阻:6.8 k Ω
最小基极间静态电阻:4.7 k Ω
子类别:Unijunction Transistors
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
最小谷点电流:8 mA
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