JAN2N6300产品参数

品牌：Microsemi Corporation

描述：TRANS NPN DARL 60V 8A TO66

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 8A 75W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

制造商：Microsemi Corporation

系列：军用，MIL-PRF-19500/539

包装：散装

零件状态：在售

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：8A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：3V @ 80mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）：500µA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：750 @ 4A，3V

功率 - 最大值：75W

频率 - 跃迁：-

工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-213AA，TO-66-2

供应商器件封装：TO-66（TO-213AA）

标准包装：1

其它名称：1086-21101 1086-21101-MIL