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  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • JAN2N6659
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JAN2N6660产品参数
型号:JAN2N6660
生命周期:Active
IHS 制造商:DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.75
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):0.99 A
最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):10 pF
JEDEC-95代码:TO-205AD
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Qualified
参考标准:MIL
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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