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JAN2N6762产品参数
型号:JAN2N6762
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.1
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (ID):4.5 A
最大漏源导通电阻:1.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:75 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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