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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 麦尔集团

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  • 封装十五周年庆典 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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JAN2N6782产品参数
型号:JAN2N6782
生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.72
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A
最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:0.8 W
最大功率耗散 (Abs):15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A
认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):45 ns
最大开启时间(吨):40 ns
Base Number Matches:1
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