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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 麦尔集团

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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • 深圳市西源信息科技有限公司

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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • HECC GROUP CO.，LIMITED

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    • 厂家MSC 
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • JAN2N918UB/TR
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    • 厂家MICROCHIP-微芯 
    • 封装SMD-3.贴片 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥212元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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    • JAN2N918图

    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 厂家MOT 
    • 封装CAN/TO-3 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
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    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
    • JAN2N918UB图

    • 深圳市思诺康科技有限公司

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    • JAN2N918UB
    • 数量1000 
    • 厂家Microchip Technology 
    • 封装3-SMD 
    • 批号23+ 
    • 晶体管
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    • JAN2N918CFJ图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • JAN2N918CFJ
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    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • JAN2N918A
    • 数量28000 
    • 厂家MOTOROLA 
    • 封装CAN3 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    • JAN2N918图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • JAN2N918
    • 数量28000 
    • 厂家MOTOROLA 
    • 封装CAN3 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • JAN2N918
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    • 封装 
    • 批号21+ 
    • 原厂渠道，全新原装现货，欢迎查询！
    • QQ:97877805QQ：97877805 复制
    • 171-4929-0036（微信同号） QQ:97877805

    产品型号JAN2N918的概述

    芯片JAN2N918的概述 JAN2N918是一种广泛应用于功率放大和开关电路领域的N沟道功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要特点是在不同的电流和电压条件下，具有出色的性能表现。由于其较低的传导损耗和高效率，JAN2N918被广泛用于工业、汽车和消费电子等多个领域。当今的电子设计中，要求高可靠性和高效能，JAN2N918正是符合这些标准的理想选择。 芯片JAN2N918的详细参数 JAN2N918芯片的主要参数包括： - 最大漏源电压 (VDS)：通常为60V，这意味着该芯片能够在较高的电压下安全工作。 - 最大漏电流 (ID)：提供高达15A的持续电流能力，这使其适用于多种负载情况。 - 栅源阈值电压 (VGS(th))：在2V到4V之间，表明该器件在该电压下可开始导通。 - 栅源电压 (VGS)：最大可承受±20V的栅源电压，为设计提供灵活性。 - 功耗 (P...

    产品型号JAN2N918的Datasheet PDF文件预览

    TECHNICAL DATA SHEET  
    6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
    1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
    Website: http://www.microsemi.com  
    Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
    Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
    NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
    Qualified per MIL-PRF-19500/301  
    DEVICES  
    LEVELS  
    JAN  
    2N918  
    2N918UB  
    JANTX  
    JANTXV  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
    Parameters / Test Conditions  
    Collector-Emitter Voltage  
    Symbol  
    Value  
    Unit  
    VCEO  
    VCBO  
    VEBO  
    IC  
    15  
    Vdc  
    Vdc  
    Vdc  
    mAdc  
    mW  
    °C  
    Collector-Base Voltage  
    30  
    3.0  
    Emitter-Base Voltage  
    Collector Current  
    Total Power Dissipation @ TA = +25°C (1)  
    50  
    PT  
    200  
    Operating & Storage Junction Temperature Range  
    Top & Tstg  
    -65 to +200  
    TO-72  
    2N918  
    Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above TA > 25°C  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
    Parameters / Test Conditions  
    OFF CHARACTERTICS  
    Symbol  
    Min.  
    Max.  
    Unit  
    Collector-Emitter Breakdown Voltage  
    IC = 3mAdc  
    V(BR)CEO  
    15  
    Vdc  
    Collector-Base Cutoff Current  
    VCB = 30Vdc  
    µAdc  
    ηAdc  
    µAdc  
    1.0  
    10  
    1.0  
    ICBO  
    V
    V
    CB = 25Vdc  
    CB = 25Vdc; TA = +150°C  
    3 PIN  
    2N918UB  
    Emitter-Base Cutoff Current  
    VEB = 3.0Vdc  
    VEB = 2.5Vdc  
    µAdc  
    ηAdc  
    IEBO  
    10  
    10  
    Forward-Current Transfer Ratio  
    IC = 0.5mAdc, VCE = 10Vdc  
    10  
    20  
    20  
    10  
    IC = 3.0mAdc, VCE = 1.0Vdc  
    IC = 10mAdc, VCE = 10Vdc  
    hFE  
    200  
    IC = 3.0mAdc, VCE = 1.0Vdc; TA = -55°C  
    Collector-Emitter Saturation Voltage  
    IC = 10mAdc, IB = 1.0mAdc  
    VCE(sat)  
    VBE(sat)  
    0.4  
    1.0  
    Vdc  
    Vdc  
    Base-Emitter Voltage  
    IC = 10mAdc, IB = 1.0mAdc  
    T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)  
    Page 1 of 4  
    TECHNICAL DATA SHEET  
    6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
    1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
    Website: http://www.microsemi.com  
    Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
    Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
    DYNAMIC CHARACTERISTICS  
    Parameters / Test Conditions  
    Symbol  
    Min.  
    Max.  
    Unit  
    Magnitude of Small-Signal Short-Circuit - Forward Current Transfer Ratio  
    IC = 4mAdc, VCE = 10Vdc, f = 100MHz  
    |hfe|  
    6.0  
    18  
    Output Capacitance  
    VCB = 0Vdc, IE = 0, 100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz  
    Cobo1  
    Cobo2  
    3.0  
    1.7  
    pF  
    pF  
    dB  
    VCB = 10Vdc, IE = 0, 100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz  
    Input Capacitance  
    VEB = 0.5Vdc, IC = 0, 100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz  
    Cibo  
    NF  
    2.0  
    6.0  
    Noise Figure (1)  
    VCE = 6V, IC = 1.0mA, f = 60MHz  
    gs = 2.5mmho  
    Small-Signal Power Gain (1)  
    VCB = 12V, IC = 6.0mA, f = 200MHz  
    Gpe  
    Rb’CC  
    Po  
    15  
    dB  
    ps  
    Collector-Base Time Constant (1)  
    VCB = 10V, IE = -4.0mA, f = 79.8MHz  
    25  
    Oscillator Power Output (1)  
    VCB = 1.5V, IC = 8.0mA, f ≥ 500MHz  
    30  
    25  
    mW  
    %
    Collector Efficiency  
    V
    CB = 15V, IC = 8.0mA, f > 500MHz  
    n
    NOTES:  
    (1) For more detail see MIL-PRF-19500/301  
    T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)  
    Page 2 of 4  
    TECHNICAL DATA SHEET  
    6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
    1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
    Website: http://www.microsemi.com  
    Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
    Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
    PACKAGE DIMENSIONS  
    Dimensions  
    Inches Millimeters  
    Symbol  
    Note  
    5
    Min  
    .178  
    Max  
    .195  
    Min  
    4.52  
    Max  
    4.95  
    CD  
    CH  
    HD  
    LC  
    LD  
    LL  
    LU  
    L1  
    L2  
    P
    .170  
    .209  
    .210  
    .230  
    4.32  
    5.31  
    5.33  
    5.84  
    5
    .100 TP  
    2.54 TP  
    7,8  
    7,8  
    7,8  
    .016  
    .500  
    .016  
    .021  
    .750  
    .019  
    .050  
    .406  
    .533  
    12.70 19.05  
    .406  
    .483  
    1 .27  
    .250  
    .100  
    6.35  
    2.54  
    Q
    .040  
    .048  
    .046  
    .007  
    1.02  
    1.22  
    1.17  
    .18  
    5
    TL  
    TW  
    r
    .028  
    .036  
    .71  
    .91  
    α
    45° TP  
    NOTES:  
    1. Dimension are in inches.  
    2. Millimeters are given for general information only.  
    3. Beyond r (radius) maximum, TH shall be held for a minimum length of .011 inch (0.28 mm).  
    4. Dimension TL measured from maximum HD.  
    5. Body contour optional within zone defined by HD, CD, and Q.  
    6. Leads at gauge plane .054 +.001 -.000 inch (1.37 +0.025 -0.00 mm) below seating plane shall be within .007 inch  
    (0.18mm) radius of true position (TP) at maximum material condition (MMC) relative to tab at MMC.  
    7. Dimension LU applies between L1 and L2. Dimension LD applies between L2 and LL minimum. Diameter is  
    uncontrolled in L1 and beyond LL minimum.  
    8. All four leads.  
    9. Dimension r (radius) applies to both inside corners of tab.  
    10. In accordance with ASME Y14.5M, diameters are equivalent to φx symbology.  
    11. Lead 1 = emitter, lead 2 = base, lead 3 = collector, lead 4 = case (electrically connected).  
    FIGURE 1. Physical dimensions for 2N918 (TO-72).  
    T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)  
    Page 3 of 4  
    TECHNICAL DATA SHEET  
    6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
    1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
    Website: http://www.microsemi.com  
    Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
    Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
    PACKAGE DIMENSIONS  
    Dimensions  
    Dimensions  
    Millimeters  
    Symbol  
    Millimeters  
    Inches  
    Note  
    Symbol  
    Inches  
    Min  
    Note  
    Min  
    .046  
    Max  
    .056  
    Min  
    1.17  
    Max  
    1.42  
    Max  
    .040  
    Min  
    0.91  
    Max  
    1.02  
    BH  
    BL  
    LS1  
    LS2  
    LW  
    r
    .036  
    .071  
    .016  
    .115  
    .085  
    .128  
    .108  
    .128  
    .108  
    .038  
    .035  
    2.92  
    2.16  
    3.25  
    2.74  
    3.25  
    2.74  
    0.97  
    0.89  
    .079  
    .024  
    .008  
    .012  
    .022  
    1.80  
    0.41  
    2.01  
    0.61  
    .203  
    .305  
    .559  
    BW  
    CL  
    CW  
    LL1  
    LL2  
    r1  
    .022  
    .017  
    0.56  
    0.4.  
    r2  
    NOTES:  
    1. Dimensions are in inches.  
    2. Millimeters are given for general information only.  
    3. Hatched areas on package denote metallized areas.  
    4. Lid material: Kovar.  
    5. Pad 1 = Base, Pad 2 = Emitter, Pad 3 = Collector, Pad 4 = Shielding connected to the lid.  
    6. In accordance with ASME Y14.5M, diameters are equivalent to φx symbology.  
    FIGURE 2. Physical dimensions for 2N918UB, surface mount.  
    T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)  
    Page 4 of 4  
    配单直通车
    JAN2N918产品参数
    型号:JAN2N918
    生命周期：Contact Manufacturer
    IHS 制造商：CRYSTALONICS INC
    零件包装代码：BCY
    包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
    针数：3
    制造商包装代码：CASE 20-03
    Reach Compliance Code：unknown
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.21.00.95
    风险等级：5.21
    Is Samacsys：N
    最大集电极电流 (IC)：0.05 A
    基于收集器的最大容量：3 pF
    集电极-发射极最大电压：15 V
    配置：SINGLE
    最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
    JEDEC-95代码：TO-206AF
    JESD-30 代码：O-MBCY-W4
    元件数量：1
    端子数量：4
    最高工作温度：200 °C
    封装主体材料：METAL
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    极性/信道类型：NPN
    认证状态：Not Qualified
    参考标准：MIL-19500/301
    表面贴装：NO
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    晶体管应用：AMPLIFIER
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
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    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
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